26.Элементная
база
полупроводниковых приборах(ПП).
ПП
это мат-лы с удельным сопротивлением ρ=108÷10-6 Ом*м.
(Si, Ge, Cu2O, ZnO и
др).
Св-ва
ПП(электрофизические) определяются электронной структурой кристаллов
указанных
материалов. Данная кристаллическая структура представляет собой
тетраэдр.
Схематически
можно изобразить:
Энергетическая
диаграмма электронов в атоме
e
в электронной оболочке могут занимать только определенные
энергетические
уровни, которые образуют так называемую энергетическую валентную зону Eвз.
Выше этой зоны находятся значения энергии, которые валентными e
заниматься не могут, это запрещенная зона. hν>∆E e перейдет
на уровень
и станет свободным e.
Если на e
не действует внешнее поле, способное нарушить связи, кристалл будет электрически нейтрален и
полупроводник не
проводит эл. ток.
Если
под воздействием внешним фактором e
сообщается энергия hν>∆E
(в виде квантов
света, внешнего поля) e
приобретает энергию
равной энергии свободного e,
т.е. переходит в
так называемую электронную зону проводимости Eзп
и кристалл становится проводящим электрический ток. Процесс перехода e
из валентной зоны в запрещенную называется генерацией
носителей зарядов. При потере e
атом, находящийся в
узле кристаллической решетки, превращается в положительный ион, который
своим
эл. Полем может притягивать свободные e,
т.е. процесс
обратный генерации и называется рекомбинацией
электронов. Процесс генерации и рекомбинации явл.
Термодинамическим.
равновесным процессом для определенных значений температуры.
Друзья! Приглашаем вас к обсуждению. Если у вас есть своё мнение, напишите нам в комментарии.