» » »

31 Полупроводники. Собственная электропроводность и ее зависимость от температуры. Примесные полупроводники. Электронная и дырочная проводимость.

31 Полупроводники. Собственная электропроводность и ее зависимость от температуры. Примесные полупроводники. Электронная и дырочная проводимость.

Полупроводники обязаны своим названием - тому обстоятельству, что по величине электропроводности они занимают промежуточное положение между металлами и изоляторами. Однако характерным для них является то, что их проводимость растет с повышением температуры (напомним, что у металлов она уменьшается). Полупроводниками являются вещества, у которых валентная зона полностью заполнена электронами (см. рис), а ширина запрещенной зоны невелика (у собственных полупроводников не более 1 эВ).

Существуют: собственные п/п – химически чистые проводники( пр-р:Ge, Se, CdS и др.)

                     Примесные п/п- проводники с примесями.

Различают собственную и примесную проводимости полупроводников.

Собственная проводимость. Возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока -   электронов‚ занимающих уровни вблизи дна зоны, одновременно в валентной зоне освобождается такое же  число мест на верхних уровнях. Такие свободные от электронов места на уровнях заполненной при абсолютном нуле валентной зоны называют дырками. При достаточно высокой температуре тепловое движение может разорвать отдельные пары, освободив один электрон. Покинутое электроном место перестает быть нейтральным, в его окрестности возникает избыточный положительный заряд + е — образуется дырка. На это место может перескочить электрон одной из соседних пар. В результате дырка начинает также странствовать по кристаллу, как и освободившийся электрон.

Каждой температуре соответствует определенная равновесная концентрация электронов и дырок, величина которой изменяется с температурой по такому же закону, как и

Примесные п/п. Для создания полупроводниковых приборов часто используют кристаллы с примесной проводимостью. Такие кристаллы изготавливаются с помощью внесения примесей с атомами трехвалентного или пятивалентного химического элемента.

Описание:Электронные полупроводники (n-типа)

Термин «n-тип» от  «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид п/п имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники называются донорными.

Проводимость N-полупроводников приблизительно равна: Описание:

 

 

 

 Дырочные полупроводники (р-типа)Описание:

Термин «p-тип» от слова «positive», обозначающего полож. заряд осн. носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.

Проводимость p-полупроводников приблизительно равна: Описание:

Друзья! Приглашаем вас к обсуждению. Если у вас есть своё мнение, напишите нам в комментарии.